Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 6

CUS05S30,H3F

aksione: 141424

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 340mV @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

aksione: 175222

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 230mV @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

aksione: 21594

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 10V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10mA (DC), Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

aksione: 122854

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

aksione: 159042

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

aksione: 172576

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 400mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

aksione: 158502

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.7V @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

aksione: 114342

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 340mV @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

aksione: 155708

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

aksione: 159752

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

aksione: 139868

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 350mV @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

aksione: 11358

Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 650V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 6A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 6A, Shpejtësia: No Recovery Time > 500mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 0ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

aksione: 144392

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

aksione: 184133

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

aksione: 139204

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 460mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

aksione: 121678

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

aksione: 183971

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

aksione: 104302

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

aksione: 164330

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

aksione: 112076

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

aksione: 193256

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 800mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 220mV @ 10mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

aksione: 8420

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

aksione: 4875

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 670mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

aksione: 181235

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 280mV @ 10mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

aksione: 4923

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

aksione: 151245

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

aksione: 8357

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj