Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 6

CBS05F30(TPL3)

aksione: 1645

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

aksione: 131336

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 620mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

aksione: 1424

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 0.47V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

aksione: 1267

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

aksione: 1440

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 0.47V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

aksione: 1359

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 0.98V @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

aksione: 1368

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A (DC), Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

aksione: 1091

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

aksione: 1170

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 700mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

aksione: 1121

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

aksione: 852

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

aksione: 101221

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 510mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

aksione: 779

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 470mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

aksione: 186793

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

aksione: 9971

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

aksione: 186045

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

aksione: 161979

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

aksione: 122216

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 215mA, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

aksione: 168808

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 470mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

aksione: 784

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 390mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

aksione: 171031

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 400mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

aksione: 142010

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 140mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 1.5ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

aksione: 262

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

aksione: 173

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 510mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

aksione: 183

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 400mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

aksione: 211

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

aksione: 213

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

aksione: 196

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 460mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

aksione: 264

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

aksione: 5028

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

aksione: 200

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

aksione: 264

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

aksione: 178

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

aksione: 129014

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

aksione: 124325

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 400mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

aksione: 143420

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj