Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

aksione: 5232

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

aksione: 6608

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

aksione: 5272

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

aksione: 5238

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

aksione: 5233

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

aksione: 5083

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

aksione: 184025

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

aksione: 129870

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

aksione: 105477

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

aksione: 145497

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

aksione: 132736

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

aksione: 156237

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

aksione: 105262

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

aksione: 114013

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

aksione: 141692

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

aksione: 150771

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

aksione: 149461

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

aksione: 100270

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

aksione: 118674

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

aksione: 171156

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

aksione: 4810

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

aksione: 104340

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

aksione: 27295

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 18A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

aksione: 27908

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 18A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

aksione: 96245

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 375V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

aksione: 124

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

aksione: 192103

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

aksione: 118518

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 285V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

aksione: 174487

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 30nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

aksione: 186338

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

aksione: 25341

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

aksione: 25369

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

aksione: 146507

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

aksione: 7058

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

aksione: 7067

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

aksione: 142061

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 30nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj