Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

aksione: 6969

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

aksione: 7016

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

aksione: 6976

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

aksione: 6938

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

aksione: 6937

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

aksione: 6975

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

aksione: 6952

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

aksione: 7006

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

aksione: 6949

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

aksione: 6969

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

aksione: 5673

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

aksione: 6973

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

aksione: 7026

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

aksione: 6986

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

aksione: 6951

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

aksione: 6948

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

aksione: 6957

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

aksione: 6946

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

aksione: 6957

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

aksione: 6765

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

aksione: 6941

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

aksione: 7022

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

aksione: 6775

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

aksione: 6939

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

aksione: 7019

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

aksione: 6989

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

aksione: 6940

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

aksione: 7005

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

aksione: 6727

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

aksione: 7004

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

aksione: 6990

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

aksione: 6947

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

aksione: 6752

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

aksione: 6966

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

aksione: 6942

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

aksione: 6984

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj