Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 11

2SD2695(T6CNO,A,F)

aksione: 7027

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

aksione: 7067

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

aksione: 6998

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

aksione: 7056

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

aksione: 6993

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

aksione: 7066

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

aksione: 6789

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

aksione: 6792

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

aksione: 6778

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

aksione: 6989

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

aksione: 7064

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

aksione: 7008

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

aksione: 7045

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

aksione: 7037

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

aksione: 7039

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

aksione: 7003

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

aksione: 7001

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 375V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

aksione: 6717

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

aksione: 7021

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 800V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

aksione: 7019

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 375V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

aksione: 6714

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

aksione: 7015

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 800V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

aksione: 6994

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

aksione: 6971

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

aksione: 6716

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

aksione: 7019

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

aksione: 6724

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

aksione: 6968

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

aksione: 7006

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

aksione: 7026

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

aksione: 6967

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

aksione: 6979

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

aksione: 6992

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

aksione: 7059

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

aksione: 6988

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

aksione: 7005

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Listoj